- Lectura: hasta 4,700 MB/s - Escritura: hasta 1,700 MB/s - Sec. Lectura (MB/s): 4,000 MB/s
Características
- NAND Flash: 3D NAND - Resistencia a impactos: 1500 G/0,5 ms - MTBF: 1.500.000 h - TBW: 110TB - Certifications: CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC, RCM, UKCA, RoHS - Temperatura de operación: 0°C a 70°C - Temperatura de almacenamiento: -40°C a 85°C Dimensiones y peso - 80 x 22 x 3.13mm - 8 g